50V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

寰球著名半导体系造商ROHM(总部位于日本京都会)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不只体积小,散热机能杰出,还存在优良的电流容量跟开关特征,因而在产业装备、车载装备以及须要支撑年夜功率的利用范畴被越来越多地采取。此次,ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供给商(OSAT)领有丰盛事迹的日月新半导体(威海)无限公司(ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.,以下简称“ATX”)。本文援用地点:为了实现无碳社会,“进步用电量占寰球一泰半的电源跟电机的效力”已成为寰球性的社会成绩。功率元器件是进步其效力的要害,SiC(碳化硅)、GaN等新资料无望进一步进步种种电源的效力。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产,并于2023年7月将栅极驱动器跟650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应答年夜功率利用中的进一步小型、高效力化的市场请求,ROHM采用在以往的DFN8080封装基本上追加的情势来强化650V GaN HEMT的封装声威。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产物化。新产物在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片,在与导通电阻跟输出电容相干的器件机能指标 (RDS(ON)×Qoss*2) 方面,数值表示到达业界进步程度。这将有助于须要高耐压且高速开关的电源体系进一步节能跟小型化。新产物已于2024年12月投入量产(样品价钱 3,000日元/个,不含税),并已开端电商贩卖,经由过程电商平台均可购置。对于新产物的量产,ROHM应用其在垂直统合型一体化出产系统中所积聚的元器件计划技巧跟自有上风,停止了相干的计划跟计划,并于2024年12月10日发布作为与台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited,以下简称“TSMC”)配合的一环,前道工序在TSMC出产,后道工序在ATX出产。别的,ROHM还打算与ATX配合出产车载GaN器件。估计从2026年起,GaN器件在汽车范畴的遍及速率将会放慢,ROHM打算在增强外部开辟的同时,进一步加深与这些配合搭档之间的关联,以放慢车载GaN器件投入市场的速率。日月新半导体(威海)无限公司 董事兼总司理 廖弘昌 表现:“ROHM领有从晶圆制作到封装的全体出产装备,并领有十分进步的制作技巧,很愉快ROHM将局部出产外包给咱们。咱们从2017年开端与ROHM停止技巧交换,现在正在持续摸索更深配合的可能性。ATX在GaN器件后道工序制作方面的现实事迹跟技巧气力失掉ROHM的承认,从而促进了本次配合。两边还打算针对ROHM现在正在开辟的车载GaN器件也发展配合,将来也会持续加深两边的配合搭档关联,以增进各范畴的节能,为实现可连续开展的社会做出奉献。”ROHM Co., Ltd. AP出产本部 本部长 藤谷 谕 表现:“十分愉快ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT可能以令人满足的机能投入量产。ROHM不只供给GaN器件,还供给其与融入本身模仿技巧上风的IC等元器件相联合的电源处理计划,并且还会再将这些计划进程中积聚的专业常识跟理念利用到元器件的计划中。经由过程与ATX等技巧气力雄厚的OSAT配合,ROHM不只可能跟上疾速增加的GaN市场的步调,同时还能一直向市场推出融入ROHM上风的产物。将来,咱们将持续经由过程进步GaN器件的机能,增进种种利用产物的小型化跟效力晋升,为丰盛人们的生涯奉献力气。”<什么是EcoGaN™>EcoGaN™是经由过程更年夜水平地施展GaN的机能,助力利用产物进一步节能跟小型化的ROHM GaN器件,该系列产物有助于利用产物进一步下降功耗、实现外围元器件的小型化、增加计划工时跟元器件数目等。・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。<产物声威>☆:开辟中<利用示例>实用于效劳器、AC适配器(USB充电器)、通讯基站电源、产业装备电源、PV逆变器、ESS(Energy Storage System / 储能体系)等输出功率500W~1kW级的普遍电源体系。<电商贩卖信息>开端贩卖时光:2025年1月起新产物在电商平台将逐渐出售。・产物型号:GNP2070TD-ZTR