消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开

IT之家 12 月 9 日新闻，韩媒 SEDaily 外地时光本月 6 日征引新闻人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构实现了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的开辟，并从上月开端将该技巧转移至位于平泽 1 号工场的量产线上。]article_adlist-->参考IT之家此前报道，三星电子代表将在 2025 IEEE ISSCC 国际固态电路集会上先容 4XX 层 1Tb TLC NAND。该产物采取晶圆键合技巧，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速度达 5.6Gb/s。韩媒以为三星 V10 NAND 将采取三客栈构造。据悉该闪存在开辟阶段的良率为 10%~20%，而量产的门槛是 60%。三星电子正尽力在量产线上晋升第 10 代 V-NAND 良率，假如情形顺遂将于 2025 下半年失掉 PRA 量产停当允许，最快来岁二季度末就可能进入量产阶段。依据 TrendForce 集邦征询数据，三星电子在 2024 年三季度持续连任第一年夜 NAND 闪存原厂。而除踊跃研发外该企业还在经由过程裁减进步产能以进一步牢固当先位置：三星打算来岁在平泽 P4 新增每月 3~4 万片晶圆的 V9 NAND 产能；中国西安工场的制程进级任务也在推动。告白申明：文内含有的对外跳转链接（包含不限于超链接、二维码、口令等情势），用于通报更多信息，节俭甄选时光，成果仅供参考，IT之家全部文章均包括本申明。 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->